三星提出极低温、极低压方案或将解决EUV蚀刻制程两大问题

EUV光刻技术作为先进制程领域的最新技术而备受业内关注，目前仅有三星和台积电两家企业正式导入，还处于初期试产阶段，仍有许多问题待解决。面对EUV蚀刻制程的两大问题，三星电子准备以极低温、极低压方法解决。

日前，在汉阳大学研讨会中，三星半导体专家朴钟哲表示，EUV制程在蚀刻制程面对两项难题。一是电路底部形成的微桥(micro bridge)，二是因电路线幅相当窄小，蚀刻材料不易深入。

微桥是因能量增强使EUV光阻剂出现微小反应而产生异物，加上电路之间的线幅过窄，异物质变成连接线路的桥梁。延长曝光时间能解决微桥问题，但设备产能将下降。在之前工艺中将采用聚合物(polymer)材料保护电路上半部，然后才反复清除电路底部的微桥，这种方式用在下一代制程可能会有困难，因此必须开发新的蚀刻技术。

另一个问题是EUV制程的线幅非常窄，若用原本的聚合物保护不被刻蚀部分，将让蚀刻材料能进入的开口更小，如此一来导致制造时间与成本双双提高。延长蚀刻制程时间将使传输蚀刻物质的电源增加，上半部须保护的程度也将提高，变成恶性循环。

三星提出的解决方案是采用极低温与极低压。降低晶圆进入的腔体温度，可减少在无聚合物下进行蚀刻的必要气体运动，利用原本在常温相当活跃的物质，进到零下极低温会减缓运动的原理。采用可有效生成蚀刻物质的极低压方式，让腔体内的气体迅速运动，成为High Pumping蚀刻技术。