﹝2019年产业展望系列﹞NAND Flash价格溜滑梯 2019年掀产业洗牌效应
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全球NAND大厂相继投入96层NAND Flash制程，加快市场价格跌幅加速。SK海力士
从2017年供不应求的荣景，NAND Flash市况在2018年进入风云变色的调整期，生产业者持续扩大64层3D TLC NAND供货，新一代制程技术及更大容量规格正伺机而出，供过于求与终端市场买气不足，导致2018年NAND Flash跌价幅度超过6成。
到2018年底，每GB价格已下探至0.08美元，逐渐逼近部分厂商的成本价，在跌价、扩产等多重因素影响下，2019年市况风云诡谲，供应链洗牌淘汰赛一触即发，也为全球产业的竞合局势更加增添烟消四起的氛围。
全球半导体厂商新工厂布局情况
全球SSD出货量预测
2H18 2.5" SSD SATA3 480GB TLC 价格走势
NAND位产出连年成长 终端市场乱象横生
DRAM与NAND Flash内存市场在过去几年几经产业跌宕，在供过于求压力下，2015~2016年市价下滑，2017年再度风生水起、涨势不止，然而产业荣景未如预期延续，各家大厂竞相强化投资规模，3D NAND Flash新增产能开出，市场需求却成长平缓，加速2018年全球NAND Flash价格一路走跌。
受到技术与良率瓶颈，2018年3D NAND良率提升速度并不如预期顺利，因而导致次级品在外流通销售，进而干扰市场价格，对应至终端应用，消费型SSD市场首当其冲。
从2017年12月中~2018年第3季跌价幅度已经逾5成，120G SSD价格超跌下探0.2美元∕GB关卡，质量参差不齐的问题延续至第3季，至于240GB和480GB价格在2018年累积跌幅也分别超过4~5成以上。
业界原先期待在第3季传统旺季效应下，NAND Flash价格有望止跌反弹，不料智能型手机出货平淡、换机热潮难再重现以及PC市场饱和等因素，导致旺季不旺，而供应端的64/72层3D NAND产出增加，供给过剩库存无法顺利去化，第3季平均合约价格跌幅达10~15%。
相较于第3季市况呈现价跌量增，到了第4季进入了价量齐跌的局面，美中贸易战升温的市场忧虑、英特尔(Intel)CPU缺货以及苹果(Apple)新机销售欠佳，终端预期跌价心理因素，加速了第4季合约价跌幅扩大，业界估计，从年初至第4季的NAND Flash跌幅约达6成，远超过年初预期。
据DIGITIMES Research估计，NAND Flash位出货量从2017年起连续呈现3~4成的成长率，包括在2017年成长36%、2018年拉升至成长43%，即使业界预期，2019年NAND Flash价格将会进一步走跌，但依旧有更多产能前仆后继投入，预计2019年位出货量仍达到39%，整体市场延续供过于求风雨欲来。
96层堆栈迈向主流 QLC量产带来容量价格战
NAND Flash技术制程的升级，在强化了个别企业的竞争力之余，也发挥了大容量及储存密度的成本优势，国际大厂如三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)与威腾(WD)、美光(Micron)、英特尔、SK海力士(SK Hynix)投入军备竞赛的战线延长。
目前3D NAND已是各大原厂主要量产制程，其中，三星3D NAND约占85%、东芝与威腾为75%、美光达到90%，SK海力士也达到60%，2018年下半起，部分业者已转向96层堆栈迈进，单颗Die容量也迈入1Tb(128GB)。
各家NAND业者大举进攻新世代制程，2018年也是QLC(4bit/cell)架构量产元年，相较目前TLC NAND，QLC NAND技术的位密度高出了33%，将可发挥高容量优势。
其中美光抢得业界先发量产，首先将64层QLC产品推入企业级应用，锁定服务器市场，而三星也不甘示弱切入消费性电子市场，并推出1Tb QLC SSD新品，后续再推出企业用QLC SSD。三星近期宣布QLC SSD产品价格，比起2018年1月上市相同容量的TLC SSD约便宜40%左右，俨然透露出积极价格攻势的强烈企图。
部分反应较快的厂商早，已嗅到大容量价格战的到来，从年中起陆续降价出清库存的中小型容量SSD，试图降低QLC带来的冲击，接下来SK海力士、威腾与东芝也将各自推出自家的QLC产品，容量最高可达单颗4TB的储存量，TB级SSD时代即将来临。
不过先前一度传出64层QLC良率偏低，QLC晶粒良率仅约5成左右，以此估计，2019年上半恐怕将再度重演2018年市场次级品拖累价格的梦魇，且QLC制程更为困难，估计业界改善量产良率的时间可能会再拖长。
大陆内存业者崛起 NAND扮演领头羊
据大陆市调公司统计，2018年全球半导体市场规模达到1,500亿美元，其中NAND Flash超过570亿美元，而大陆市场消耗了全球产能的32%，这意味着大陆已成为全球主要的市场，为了摆脱长期对外采购的依赖，大陆内存芯片自主发展成为当务之急。
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不过福建晋华与美光从互控侵权、进而演变为美国政府对福建晋华祭出禁令后，大陆DRAM产业发展势必将遭到延宕，而长江存储迈入量产正蓄势待发，成为大陆自主NAND技术突围发展的重要指标厂商。
长江存储的32层3D NAND已顺利问世，并进入小量生产，但32层堆栈制程缺乏竞争力，据业界指出，日前长江存储采取Xtacking架构的64层NAND样品，已送交给相关供应链进行测试。
由于读写质量大致稳定，若进度符合预期，预计最快2019年第3季将可望投产，届时将有机会转亏为盈，而长江存储也规划2020年将跳过96层3D NAND，截道超车跨向128层3D NAND。
随着长江存储武汉存储基地一期已投入生产，原预计产能为10万片，实际产能可达15万片，而武汉存储基地二期也紧接着开工，并持续扩大生产规模，随着量产技术提升及规划产能30万~45万片全数开出，未来将有机会抢进全球约10%市占率。
长江存储的母公司清华紫光集团同时在其他据点推展建设进度，包括南京厂与成都厂先后于年底前进入动工阶段，合计三大生产基地将投入人民币1,800亿元生产3D NAND芯片，另一方面，紫光集团也频频招手英特尔合作，欲倾集团资源之力全速发展NAND Flash制程。
业界认为，大陆崛起进入NAND Flash市场只是时间问题，虽然2019年仍处于试车阶段，但在逐渐增加产出贡献后，在进行技术转变的过程中，仍需要解决量产良率的问题，而良率不合格问题产品是否将影响市场秩序，将值得观察。
全球群雄逐鹿 NAND产业腥风血雨
相较于DRAM产业在经历了汰弱留强后，如今全球仅剩下三星、美光与SK海力士等三大巨擘，而三星更占据全球DRAM近5成市占， NAND产业正处于战国群雄各自割据，各家供给产出扩张、价格下滑刺激需求，将为2019年NAND产业带来契机、也带来严峻考验。
三星已宣布量产第五代90层以上3D NAND Flash，并将陆续投资70亿美元在大陆西安设立第二家NAND Flash制造工厂；东芝与威腾合作四日市工厂Fab 6从2018年9月起量产96层3D NAND；市占率最低的英特尔也宣布位于大连的第二期NAND工厂投产，并生产96层3D NAND；SK 海力士于10月在南韩忠清北道清州举行M15工厂启用典礼，开始生产96层堆栈的3D NAND。
虽然在价格跌幅不只的压力下，近来东芝与威腾有意放缓四日市工厂第二期的96层3D NAND机台设备导入进度，而美光也预计2019财年NAND晶圆产能的资本支出将较2018年度调降等，但群雄逐鹿NAND产业版图，预料各大NAND业者扩充军备仍将马不停蹄。
除了加码投资力道外，产业技术竞争也延伸至技术人才挖角，据传，英特尔为了建立大连厂3D NAND团队，分别锁定三星与SK海力士的核心工程师，另一方面，英特尔近日也控告前员工窃取3D Xpoint技术数据后投奔美光，半导体产业抢人大战延伸至内存产业的战线越趋激烈。
此刻必须回头再思考的是，为何NAND业界仍要继续扩充产能？受惠于降价带动消费性SSD搭载率将加速成长，2019年SSD渗透率将有机会与HDD进入交叉点，另一方面，在人工智能、云端运算、边缘运算、物联网等应用快速普及的情况下，衍生的大数据演算需求，将对储存装置对容量、可靠度与效能的要求也越来越高。
2018年NAND价格已回到了2016年涨价前的价格水平，短暂的NAND Flash缺货涨价美好时代已然结束，取而代之的将是透过降价激励，而带动各类应用需求成长百花齐放，伴随而来的将是强者愈强、技术性能取胜的产业淘汰赛，2019年NAND Flash产业再现洗牌效应，更将掀起全面性的储存容量价格战。(2019年产业展望系列)
