三星率先量产96层TLC V-NAND闪存芯片，大容量SSD或将普及

 在NAND Flash市场行情日渐疲软的当下，谁能够先做出技术突破，谁就能大幅提振自身业绩、乃至整个行情。

据最新消息，三星宣布了已经开量产第五代96层V-NAND闪存颗粒，在与美光、西数和东芝的竞争中领先一步，率先进入96层时代。

全新的第五代V-NAND相较上代的64层颗粒性能上有着大幅提升。其内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存单元，单模容256Gb（即32GB）。

由于首次采用了Toggle DDR 4.0接口，传输速率最高可达1.4Gbps，比之上代提升了整整40%；其数据写入速延迟仅为500 微妙，较前代提升了30%，读取延迟大幅缩短至50微妙。而其工作电压也从1.8V将至1.2V，能够降低使用平台的整体功耗。

三星还透露，未来还将推出QLC V-NAND闪存颗粒，其单模容量达到1Tb（即128GB）。QLC颗粒价格相比TLC更为低廉、容量也更大，被众多厂家所推崇为SSD的普及产品。

在NAND闪存芯片市场持续走低的当下，三星的突破无疑是一剂强心剂。96层堆叠技术能够使NAND Flash芯片的价格更为亲民，相信大容量SSD的普及在不久之后就会到来。