TMC案确定后,开始积极设备投资追赶三星,NAND闪存市场形成三强鼎立态势。图为TMC的四日市工厂。法新社
随东芝内存(TMC)股权出售案定案,全球NAND闪存市场形成三强鼎立态势:三星电子(Samsung Electronics),东芝内存、威腾(WD)、与SK海力士(SK Hynix)团队,以及英特尔(Intel)与美光(Micron Technology)联盟。现在东芝要重新挑战三星,但与威腾的官司成为最主要的问题。
东芝内存社长成毛康雄,在2017年10月13日参加日本四日市的事业说明会中,指出2017年内已对四日市工厂进行3,150亿日圆(约28.1亿美元)的设备投资,为确保竞争力,还可能追加投资,且未来每年都会有3,000亿~4,000亿日圆等级的投资。日本经济新闻(Nikkei)网站报导,四日市政府对新投资表达欢迎态度。
目前的投资,在兴建四日市工厂第6工厂栋,用以量产最新的96层3D NAND闪存,接下来还要购入邻接的闲置土地,建设第7工厂栋;虽然东芝内存在2018年要在日本岩手县北上市建设新工厂,但四日市还是母工厂,第7工厂栋是基于长期需求建立,不会半途而废。
至于是否与SK海力士合作投资方面,由于与威腾的官司,以及避免在各国反垄断法审查中带来负面影响,东芝内存与SK海力士均宣称不会合作研发NAND,但在次世代的MRAM与奈米压印(NanoImprint)技术可能合作。
至于与威腾的合作关系,成毛康雄表示技术上靠自己研发完全没问题,但还是希望能与威腾妥协,和威腾旗下的新帝(SanDisk)合作研发120层~130层的3D NAND闪存。
日刊工业新闻报导指出,由于IHS调查,三星在2017年上半全球NAND闪存市场的市占率,已增到38%以上,稳坐冠军宝座,亚军的东芝内存则掉到16%水平,故包括东芝内存在内的NAND闪存厂,都为对抗三星而开始团结。
美国的英特尔与美光合作超过10年,东芝内存与新帝合作近17年,先前市场关注SK海力士会靠向三星还是东芝内存,现在选择与东芝内存联合,明显是为对抗三星,即使东芝内存与威腾谈判期间对立严重,但考虑利益,现在东芝内存仍希望威腾与该厂及SK海力士尽弃前嫌。
据日经报导,三星也将在2018年内量产96层3D NAND闪存,自信技术领先东芝内存约1年水平,加上2016年起NAND闪存市场供不应求,形成卖方市场,三星在此市场获得利润随市占率成长而上涨,设备技术投资能力仍高于东芝内存,弱者若不合作,只会被三星抛得更远。
随东芝内存出售案的纷争渐止,NAND闪存市场料将从六大厂商变成三强联盟,未来的发展,值得持续关注。