三星再添平泽厂生力军　NAND Flash目标市占率40%

三星平泽半导体厂举行3D NAND量产仪式。三星

三星电子(Samsung Electronics)平泽半导体厂日前举行量产出货仪式，正式宣告投入三星NAND Flash量产行列。三星为全球NAND Flash龙头，市占率为37%。南韩业界预估平泽厂加入生产后，三星NAND Flash全球市占率突破40%大关只是时间早晚问题。

据韩媒the bell报导，三星以全球45%的DRAM市占率排名第一，虽然NAND Flash市占率也是第一，但市占率迟迟无法与竞争对手拉大差距，因此三星有意透过扩产投资，拉大差距守稳第一。

三星相关人士表示，正式投产出货的平泽半导体厂，将以量产堆栈64层3D NAND Flash为主。一般而言，3D NAND Flash堆栈层数愈高，代表产能与获利提升。

三星竞争对手东芝(Toshiba)等，已量产堆栈48层3D NAND Flash。相较堆栈48层3D NAND Flash，三星64层3D NAND Flash读写速度快50%，耗电效率提升30%。然随着3D NAND Flash堆栈层数变多可能造成结构不稳，因此业界多认为，3D NAND Flash堆栈层数有一定的物理极限。

业界人士观察，继DRAM独霸天下，牢牢站稳市场领导地位后，三星有意凭借技术与产能优势，守稳NAND Flash第一王座，因此大手笔投资平泽厂15.6兆韩元(约137亿美元)。

三星平泽一楼厂区，每月晶圆投片量约10万片，三星计划再投资14.4兆韩元，扩充二楼厂区产能。因此，三星NAND Flash产能将从过去45万片，一路向上提升至65万片。另外三星可能于2017年底前，宣布堆栈96层3D NAND Flash量产。

由于IT装置不断朝轻薄短小发展，内存储存单元(cell)垂直堆栈，可望省下不少平面空间容纳其他零组件，使装置具有更多样化功能，因此3D NAND Flash市场需求看俏。南韩业界认为，由于NAND Flash市场需求旺盛，就算三星平泽厂加入生产行列，可能也无法完全满足市场需求。

IHS Markit指出，2017年NAND Flash全球市场规模约506亿美元，相较2016年成长38%。2016年三星NAND Flash营收约15.8兆韩元，预估2017年营收上看24.4兆韩元，年成长率达54%。

三星已是全球NAND Flash龙头，如今再添平泽厂生力军，预料将能顺利拉大与竞争对手差距，朝向全球NAND Flash市占率40%目标迈进。如以2017年第1季为例，三星NAND Flash市占率37%，紧接在后的东芝为17%。

事实上，三星潜在隐忧也包括大陆半导体产业快速崛起。例如，清华紫光正大举投资半导体，计划于武汉、成都、南京等地设立半导体厂，武汉内存厂预计2018年开始量产3D NAND Flash。