三星发布新一代HBM2E产品，性能提升33%，容量翻倍

 三星在NVIDIA的GPU技术大会（GTC）上发布了新的高带宽HBM2E产品，为下一代超级计算机、图形系统和人工智能（AI）等提供更高的DRAM性能水平。

三星曾在2018年1月宣布开始批量生产第二代8GB高带宽HBM2产品，每个引脚提供2.4Gbps数据传输速度。三星新一代的HBM2E每个引脚提供3.2Gbps数据传输速度，比上一代HBM2快33%。Flashbolt的每个芯片密度为16Gb，是上一代产品的两倍。

三星通过不断的创新和改进，单个HBM2E封装芯片将提供410GBps的数据带宽和16GB容量。

除了三星，SK海力士曾在2017年8月宣布量产HBM2产品，分别是2GB、4GB、8GB容量，最高宽带可高达256GB/s的带宽，在2018年度报告中也表示，将积极响应客户对HBM2和GDDR6产品的需求。

HBM（High bandwidth memory）主要是与GDDR展开竞争，在消费类市场，AMD RX Vega、NVIDIA Titan V等极少数产品应用了HBM2，专业市场AMD Radeon Instinct、NVIDIA Tesla的需求更大，但是成本是其普及的最大制约因素。

三星电子存储产品规划和应用工程团队高级副总裁Jinman Han表示：“Flashbolt将为下一代数据中心、人工智能、机器学习和图形应用提供业界领先增强性能的解决方案，我们将继续扩大我们的优质DRAM产品，并不断在高性能、高容量、低功耗存储方面创新和进步，以满足市场需求。”

来源丨中国闪存市场