美光将于2019年生产OLC NAND存储器

 根据外媒 OptoCrypto 消息，美光 (Micron) 正在研发下一代 OLC NAND 存储器，将会采用 8 层单元的 NAND 结构，实现更高的数据密度。

2018 年 5 月，美光就推出了 4 层单元的 NAND 技术，即 QLC NAND。当时美光公司股价出乎意料的下跌，这不仅是因为 QLC 技术的引入，更是由于 NAND 存储成本、供需因素等复杂的因素导致。

美光公司现在打算在 2019 第一季度或最迟第二季度发布 8 层单元 (Octa-Level Cell, OLC) NAND 存储器。

美光曾对一篇在 2 月 8 日发表于 WCCFtech 网站上关于 OLC 技术的文章进行评论，确认文中提到的技术已发明成功。

除此之外，公司不做其他任何进一步评论。美光是存储及存储解决方案的国际化领头企业，将继续推动创新，为客户带来价值。

然而，WCCFtech 似乎有了新的证据来证实这一消息。它透露道，美光的合作伙伴之一已经告知他们将计划在 2019 年上半年宣布 OLC NAND 闪存，进一步确认了信息的准确性。

目前，OLC NAND 闪存甚至尚未公布，因此消息源不仅暗示了它的存在，而且也揭示了预期的发布时间。

美光的 OLC NAND 技术在每个 cell 单元里提供了 8 bit 的数据，目的是为了在 QLC (每个cell) 基础上作出 100% 的性能提升。同时，也是第一个本质上实现每个 cell 单元里含有 1 byte 的技术。

这种密度的增加远远超过了摩尔定律 (假设cell大小并没有增加太多)，同时也刺激了该产业的相互竞争，促使及推动了类似竞品的研发面世。

在恒定大小下，不断地增加数据密度也会提高SSD的价格，并让固体硬盘拥有更大的容量。