三星、海力士持续扩产，2018年DRAM产能成长挑战10%

 DRAM价格飙涨带动2017年全球半导体产值冲破4000亿美元，国际半导体产业协会SEMI预估，在三星电子、SK海力士(SK Hynix)持续扩展DRAM产能下，2018年DRAM供给端产能可能再成长10%，这是很大的成长，然终端需求也急起直追，估计到2021年，DRAM年成长率上看30%。

存储器DRAM和3D NAND是这两年全球半导体产业的重要推手，2017年全球半导体产值4000亿美元当中，DRAM营收成长高达75%，3D NAND成长45%，两大领域都远高于整体IC产业20%的平均成长力道。

观察全球DRAM产业三大阵营三星、海力士、美光，三星、SK海力士两大韩系阵营在扩产脚步上是急踩油门，包括三星在韩国平泽(Pyeongtaek)的P1厂房和Line 15生产线，以及SK海力士的M14生产线；再者，美光在广岛的Fab 15和Fab 16也有DRAM扩产计划，但主要的增加仍是在韩系两大阵营。

SEMI估计，2017年DRAM厂设备支出约130亿美元，较前一年是成长一倍，预计2018年持续成长至140亿美元水平；再者，2017年DRAM产能增加幅度是3%，2018年成长幅度上看10%。

针对NAND产业，目前有扩产计划的业者包括三星平泽厂、SK海力士的M14生产线、美光Lehi和新加坡Fab 10X、东芝Fab 2/Fab 6，以及英特尔大连厂(Fab 68)等。

SEMI也估计，2017年NAND产业设备支出约190亿美元，较前一年100亿美元飞跃性成长，预计2018年NAND产业设备支出上看200亿美元；而3D NAND产业的产能在2017年成长130%，2018年预计再成长48%。

无论是DRAM和NAND Flash阵营对于扩增产能都是雄心壮志，但不要忽略需求端也是呈现大喷发姿态，根据SEMI统计，一直到2021年，DRAM需求端的成长率高达30%，而NAND Flash更是高达45%。

再者，驱动存储器产业往前冲刺的力道，可细分为四大驱动力，第一为物联网(IoT)相关应用；第二类是大规模运算(Large-Scale computing)，涵盖固态硬盘(SSD)、存储器磁碟阵列Flash Arrays、人工智能(AI)、深度学习(Deep Learning)系统等；第三类是汽车电子相关应用；第四类是消费性产品、通讯产品等，可谓是各种应用产品都少不了存储器元件。

在三星、SK海力士(SK Hynix)努力扩产存储器下，韩国在2017年成为全球半导体设备支出的最大地区，从2016年的80亿美元跳跃成长至180亿美元，预计2018年也将达169亿美元的支出金额。

同时，SEMI预估，2018年大陆在半导体设备支出金额约113.3亿美元，成为第二大地区。

值得注意的是，SEMI分析，过去大陆的晶圆厂投资大多来自外来厂商，但2018年长江存储、福建晋华、华力、合肥长鑫等许多新进业者，都计划在大陆大举投资设厂，并且建置中，也将会增加设备投资金额。