三星计划将2019年NAND bit成长率由40%下调至30%

来源丨闪存市场

 全球智能型手机需求下滑，PC市场需求也受到了处理器缺货的影响，导致传统Q4淡季更加明显。在需求低迷的大环境下，据The Korea Herald报导，三星计划在2019年减少存储器产量，DRAM bit成长率由之前预估的20%降至低于20%，NAND Flash bit成长率由40%下调至30%。

2018年NAND Flash价格大跌，DRAM价格也在下滑，且已影响到存储厂商获利。日前，美光发布的2019财年Q1净利润32.93亿美元，虽然同比增长23%，但与上个季度相比，营收环比衰退6%，净利润环比下滑24%。同时，市场业内人士预估，三星Q4营业利益将从上季创纪录的17.57兆韩元降至约13兆韩元，也反映出存储器市场的低迷。

为了缓解需求疲软和跌价带来的运营压力，西部数据率先表示要减少Fab的产出，以及减缓下一步的扩产计划，三星也将保守执行其存储器扩产和投资计划。三星曾计划的平泽2厂将于2019年上半完工，但由于市场供应过剩，平泽工厂增产和扩产计划恐延缓，以限制产能成长，防止DRAM价格下跌。据悉，三星原先将在平泽DRAM产线增加4万片晶圆产能，但目前考虑在2019年上半仅增加2~3万片晶圆。

市场业内人士预计，2019上半存储器市场依然会处于需求淡季，但预计下半年将出现反弹。如今各家原厂纷纷减缓投资，控制产出量，将有助于平衡2019上半年市场供需，预计下半年供过于求的局面将有所改善。