长江存储NAND Flash研发大迈进　南茂内存封测2018年转机将现

业界传出，南茂2018年有机会争取NAND Flash新势力长江存储封测订单。图为南茂董事长郑世杰资料照片。符世旻摄

    全球NAND Flash(储存型闪存)四大阵营即将面临新势力挑战，紫光集团旗下长江存储近期宣布在3D NAND Flash研发进度大为突破，相关业者透露，估计最快2Q~3Q可望进入量产阶段，将对美光(Micron)、三星、SK海力士、东芝(Toshiba)等龙头大厂造成威胁，也将有机会改变NAND Flash供需紧张的态势，市场人士推测，如台系相关内存封测业者南茂，因上海宏茂微电子与大陆客户关系良好，有机会早期抢下长江存储Flash封测订单。

    大陆以近似国家资本主义方式政策扶植内存产业，紫光集团动作频频，尽管全球内存阵营积极力抗，但大陆发展内存业雄心已经让美、日、韩阵营必须严阵以待，长江存储在32层3D NAND研发速度比预期早1个月时间，样本提前试产。

    熟悉半导体封测业者表示，长江存储投入3D NAND研发时间短，大陆NAND Flash研发主要为武汉新芯，尔后长江存储于2016年购并武汉新芯，武汉新芯成为长江存储100%持有子公司，目前南茂转投资公司的上海宏茂微电子，已经有承接部分武汉新芯NOR Flash订单，市场看好后续南茂集团也有机会进一步争取长江存储3D NAND Flash封测大单。

    熟悉内存封测业者表示，事实上，南茂今年下半在内存封测业务部分，受到美光订单移转给台厂力成影响，DRAM、Flash封测业绩偏淡，加上美光也扩增在台湾的封测业务，南茂第4季营运表现估计仅能与第3季持平。

观察南茂目前营运状态，主要成长动能来自于面板驱动IC、TDDI IC封测、COG、COF封装制程等。大尺寸高解析液晶电视朝向4Kx2K(分辨率3,840x2,160)发展已经蔚为主流趋势，未来将持续往8K迈进，不过由于大尺寸面板一片相当于数片小尺寸面板，整体来看，大尺寸面板需求对于驱动IC使用颗数的增加幅度，较不如中小尺寸终端产品。

    熟悉后段封测业者表示，目前南茂驱动IC封测量能大致上与第3季相仿，产能利用率从约87%微增至近9成，由于18:9液晶面板陆续放量，封测端从COG转采用的COF制程业绩已经逐步攀升。

    另外，韩系客户也仍是南茂业绩稳健的领域，如三星OLED驱动IC用12吋金凸块(Bumping)封装制程订单，以及12吋COG制程的整体封测解决方案订单，主要客户为韩系晶圆代工厂Magnachip(美格纳半导体)，南茂来自于第4季韩系业者订单持续稳健，陆续出货放量中。不过，南茂发言体系并不对特定客户发表公开评论。