三星美光下调出货 群联南亚科得利

由于目前国际贸易关系不太融洽，导致了市场的不确定性大增。另外英特尔处理器的缺货，影响全球智能型手机及计算机的销售，也导致 DRAM 及 NAND Flash 出货供给过剩压力，明年价格看跌。

为了在低迷的市况中维持住盈利能力，存储器大厂三星 (Samsung) 及美光 (Micron) 已相继传将下调明年 DRAM 及 NAND Flash 位元出货量消息，业界认为有助于减少跌价压力，对南亚科 (Nanya) 及群联 (Phison) 明年营运将是一大利多。

根据韩国外电，三星计划 2019 年减少存储器产量，DRAM 位元出货量由原本预估的 20％ 以上，降至低于 20％；NAND Flash 位元出货量则由 40％ 下修至 30％。

三星平泽二厂原本预期明年上半年完工，但因市场供给过剩，该厂增产及扩产计划恐延缓，以限制产能增加并降低 DRAM 跌价速度及幅度，据了解，三星已考量将扩增 4 万片月产能下修至 2～3万片。

另外，美光也在日前法说会中透露下修明年出货目标计划。美光指出因为智能型手机出货衰退，加上英特尔处理器缺货影响 PC 出货，2019 年资本支出将由原先预期的 105 亿美元下修至 90 亿美元。

同时，美光将明年 DRAM 位元出货量目标由原本预估的 20％ 下修至 16％，NAND Flash 位元出货量则由原先预估 35～40％ 下修至 35％。

至于韩国另一存储器大厂 SK 海力士，虽然尚未说明 2019 年的出货目标，但曾表示会减少资本支出，以控制出货量增长率及减缓下一步投资计划。与东芝合作的西部数据（WD）同样释出将放缓明年 NAND Flash 新产能投资，以避免价格持续大跌影响获利。

从存储器大厂调降明年位元出货目标的动作来看，DRAM 及 NAND Flash 的位元出货量增长率，将会被控制在与市场需求增长率的幅度相符。

目前各大厂普遍预期明年 DRAM 位元需求量将较今年增长 15～20％，NAND Flash 位元需求量则较今年增长 35％ 左右。

业者指出，若位元增长率有效控制，跌价情况将明显放缓，只要本身制程顺利微缩，就可降低获利大幅下滑压力。

法人则指出，包括三星及美光等大厂若真能控制明年位元出货量，DRAM 价格可望在明年第 2 季止跌，明年下半年应可维持稳定，以南亚科 20 奈米微缩十分顺利情况来看，获利不致于有太大的衰退。

NAND Flash 今年价格重挫七成以上，明年跌价幅度可望缩小在三成以内，且跌价有助于提高终端需求，群联明年获利有机会优于今年。

source：工商时报